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In situ Studies of Stacking Fault Formation in Silicon Carbide by Optical Imaging Spectroscopy

Veranstaltungsort:

TUM Lehrstuhl für Technische Elektrophysik , Theresienstr. 90, Geb. N4, Raum N1414

Vortragender

Dr. Augustinas Galeckas, Center for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, Norway

Vortrag im Rahmen des Oberseminars "Elektrophysik und Physikalische Elektronik"

Veranstalter

Lehrstuhl für Technische Elektrophysik

Ansprechpartner

Dipl.-Phys. Ulla Knipper

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Technische Universität München