Ingenieurinnenpreis 2007 für Dr. Agnese Bargagli-Stoffi
14.09.2007, News
Für ihre herausragende Doktorarbeit wurde die Elektrotechnikerin Dr. Agnese Bargagli-Stoffi (32) von der TU München mit dem Ingenieurinnenpreis 2007 ausgezeichnet. Der von Wissenschaftsminister Dr. Thomas Goppel vergebene Preis hat zum Ziel, Abiturientinnen für die Ingenieurwissenschaften zu begeistern. Der Preis ist mit 2.000 Euro dotiert.
Agnese Bargagli-Stoffi hat am Lehrstuhl für Technische Elektronik bei Prof. Doris Schmitt-Landsiedel promoviert, nachdem sie in ihrer Heimatstadt Pisa Elektrotechnik studiert hatte. Bereits für die Diplomarbeit war sie über das Socrates Austauschprogramm der EU an die TUM gekommen. Zusammen mit ihrer Doktormutter hat Bargagli-Stoffi eine Lehrveranstaltung in der Analog-Elektrik konzipiert. Heute arbeitet die junge Wissenschaftlerin in der Mixed-Signal Circuit and System Group der Forschungsabteilung von NXP Semiconductors in Eindhoven in den Niederlanden, wo sie sich nach wie vor mit Schaltungen mit extrem geringen Versorgungsspannungen beschäftigt.
Das Thema ihrer preisgekrönten Promotionsarbeit lautet »Ultra low-voltage, low-power amplifiers in deep submicrometer CMOS«. In modernen CMOS Technologien reduziert die Skalierung der Bauelementdimensionen die maximal verfügbare Gate-Übersteuerungsspannung; somit werden die Eigenschaften der analogen Schnittstellenschaltungen gefährdet. In dieser Arbeit sind drei Verstärker vorgestellt, realisiert in tief-submicron Prozessen, die mit einer Versorgungsspannung von 0,6 Volt arbeiten. Verstärkungs-, Geschwindigkeit- und Verlustleistungsbedingungen werden durch die Verwendung von low-voltage Stromspiegeln, geregelten Kaskoden sowie durch den Betrieb der Transistoren in schwacher Inversion und die Ausnutzung der multi-VT Ausführung optimiert. Es wird nachgewiesen, dass eine Hochverstärkungs-Stufe die Eingangsschalter einer Switched-OpAmp-Schaltung ersetzen und die intrinsischen Grenzen der MOS-Transistoren als Schalter bei Niederspannung überwinden kann.
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