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Sitemap > Veranstaltungen und Termine > "Stoßstromfestigkeit von 1200V SiC MPS-Dioden: Simulation und Experiment"

 Vortrag

"Stoßstromfestigkeit von 1200V SiC MPS-Dioden: Simulation und Experiment"

Montag 14.12.2015, 09:15 - 11:00



Veranstaltungsort:

Lehrstuhl für Technische Elektrophysik TU München Raum N1414 (Seminarraum) Nordgelände, Gebäude N4, 1. Obergeschoß Theresienstr. 90, 80333 München 

Vortragender
Frau M. Sc. Susanne Fichtner Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik Technische Universität Chemnitz


Veranstalter
Lehrstuhl für Technische Elektrophysik TU München

Ansprechpartner
Anna-Lena Kersten, mailto:kersten@tep.ei.tum.de


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