Sitemap > Veranstaltungen und Termine > Hochleistungs-MOSFETs: Anwendungen und Trends

Hochleistungs-MOSFETs: Anwendungen und Trends

Veranstaltungsort:

Lehrstuhl für Technische Elektrophysik der TUM, Theresienstr. 90, 80333 München, Geb. N4, 1. Stock, Raum N1414

Vortragender

Dr. Winfried Kaindl, Infineon Technologies AG Neubiberg

Oberseminar Elektrophysik und Physikalische Elektronik

Veranstalter

Lehrstuhl für Technische Elektrophysik

Ansprechpartner

Anna-Lena Kersten, Tel.: 089/289-23122, e-mail: kersten@tep.ei.tum.de

iCal Export

Drucken

Technische Universität München