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Sitemap > Veranstaltungen und Termine > Hochleistung-SRAM: magnetisch versus elektrostatisch und Entwicklung von Silizium Drucksensoren mit hoher Langzeitstabilität

 Vortrag

Hochleistung-SRAM: magnetisch versus elektrostatisch und Entwicklung von Silizium Drucksensoren mit hoher Langzeitstabilität

Montag 23.06.2014, 09:15 - 11:00



Veranstaltungsort:

Lehrstuhl für Technische Elektrophysik der TUM, Theresienstr. 90, 80333 München, Geb. N4, 1. Stock, Raum N1414 

Vortragender
Dr. Thomas Ortlepp und Dipl.-Ing. Sebastian Pobering, CiS Forschungszentrum für Mikrosensorik und Photovoltaik Erfurt

Oberseminar Elektrophysik und Physikalische Elektronik

Veranstalter
Lehrstuhl für Technische Elektrophysik

Ansprechpartner
Anna-Lena Kersten, Tel.: 089/289-23122, e-mail: kersten@tep.ei.tum.de


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