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„Frontiers in Semiconductor Nanoscience“

Symposium 60. Geburtstag von Prof. Gerhard Abstreiter

Prof. Gerhard Abstreiter

22.11.2006, Press releases

Nobelpreisträger Klaus von Klitzing hält Einführungsvortrag

Anläßlich seines 60. Geburtstags ehrt die Technische Universität München am 27. November 2006 Professor Gerhard Abstreiter, Ordinarius für Experimentelle Halbleiterphysik I und Geschäftsführer des Walter Schottky Instituts (WSI) der TUM in Garching, mit einem wissenschaftlichen Symposium. International renommierte Wissenschaftler sprechen zum Thema „Frontiers in Semiconductor Nanoscience“. Den Einführungsvortrag über „Exciton condensation in coupled two-dimensional systems“ hält Nobelpreisträger Prof. Klaus von Klitzing.

Seit Gründung des WSI im Jahre 1988 gilt Abstreiters Forschungsgruppe als weltweit führend in der Erforschung der strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften von Halbleiter-Nanostrukturen. Die Gruppe ist Mitglied des Exzellenzclusters „Nanosystems Initiative Munich (NIM)“ und der Graduiertenschule „International Graduate School for Science and Engineering (IGSSE)“, an deren erfolgreicher Bewerbung im Rahmen der Exzellenzinitiative des Bundes und der Länder Gerhard Abstreiter maßgeblich mitgewirkt hat.

Internationales Renommee erlangte das Forscherteam um Abstreiter insbesondere durch die Entwicklung hochreiner so genannter niedrigdimensionaler Nanostrukturen auf Galliumarsenid und Silizium-Germanium. Mit diesen werden die physikalischen Grundlagen von Systemen erforscht, die aufgrund der Einschränkung der räumlichen Dimensionen einen zunehmenden Einfluss der Quantenphysik in ihren elektrischen und optischen Eigenschaften zeigen. Neben grundlegenden physikalischen Einblicken liefert das Verständnis dieser Eigenschaften und ihrer Herstellung auch Konzepte für eine fortschreitende Miniaturisierung in der industriellen Mikroelektronik und der Entwicklung innovativer, kleinster Quantenbauteile für die gerade entstehende Nanoelektronik.

Die seit den 90er Jahren von Abstreiter verfolgte Untersuchung der Eigenschaften einzelner Halbleiterinseln - so genannter Quantenpunkte - führte dazu, dass diese Nanostrukturen heute als aussichtsreiche Basis einer außerhalb des Labors realisierbaren Verwendung der Quantenkryptographie und Quanteninformationsverarbeitung gelten. Seit einigen Jahren untersucht Abstreiters Forschungsgruppe auch mögliche Anwendungen von Spineigenschaften in Halbleitern, vor allem die Entwicklung magnetischer Halbleiter, die Manipulation von DNA sowie die Entwicklung Halbleiterbasierender Bauteile zur Anwendung in der Biosensorik und der molekularen Elektronik.

Abstreiter selbst leistete Pionierarbeit auf dem Gebiet niedrigdimensionaler Elektronensysteme. Industrielle Entwicklungen wichtiger Hochfrequenzbauteile der Mikroelektronik wie der "High Electron Mobility Transistor (HEMT)" oder der auf verspanntem Silizium basierende Hetero-Bipolartransistor sind auf grundlegende Erkenntnisse dieser Arbeiten zurückzuführen. Erst der Einsatz derartiger Hochfrequenzbauteile hat die rasante Entwicklung der Mobiltechnologie in den letzten Jahren ermöglicht.

Gerhard Abstreiter wurde am 27. November 1946 in Allershausen geboren. Nach dem Physikstudium und der Promotion an der TU München ging er 1975 zunächst an das Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, wo er auch am gemeinsamen Hochfeld-Magnetlabor der Max-Planck-Gesellschaft und dem Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) in Grenoble forschte. 1984 habilitierte er sich auf dem Gebiet der Experimentalphysik an der TUM, wo er seit 1987 den Lehrstuhl für Experimentelle Halbleiterphysik leitet. An der Entstehung des Walter Schottky Instituts (WSI) für physikalische Grundlagen der Halbleiterelektronik an der TUM war Abstreiter maßgeblich beteiligt und wurde 1988 dessen Gründungsdirektor.

Für seine wissenschaftlichen Leistungen erhielt Abstreiter zahlreiche Auszeichnungen und Ehrungen, darunter den Walter Schottky Preis der Deutschen Physikalischen Gesellschaft (1986), den renommierten Gottfried Wilhelm Leibniz Preis der Deutschen Forschungsgemeinschaft (1987) und den Max-Born-Preis der Deutschen Physikalischen Gesellschaft und des britischen Institute of Physics (1998). Seine Forschungsarbeiten sind in mehr als 500 Publikationen dokumentiert, die einen breiten Fokus von der fundamentalen Halbleiterphysik über Halbleiter-Materialwissenschaften bis zur Technologie neuartiger, innovativer elektronischer Bauteile abdecken.


Das Symposium findet statt am Montag, 27. November 2006, 12:30 bis 18:30 Uhr, im Hörsaal 1 des Physik Departments der TU München, James-Franck-Straße, 85748 Garching.

Medienvertreter sind herzlich willkommen!

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