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Sitemap > Veranstaltungen und Termine > TCAD modeling of band-to-band tunneling in Si devices: from leakage to applications

TCAD modeling of band-to-band tunneling in Si devices: from leakage to applications

Veranstaltungsort:

TUM Lehrstuhl für Technische Elektrophysik , Theresienstr. 90, Geb. N4, Seminarraum N1414

Vortragender

Prof. Dr. Andreas Schenk, Integrated Systems Laboratory, ETH Zürich, Schweiz

Veranstalter

Lehrstuhl für Technische Elektrophysik: Oberseminar Elektrophysik und Physikalische Elektronik im Sommersemester 2009

Ansprechpartner

Dipl.-Ing. Yvonne Gawlina

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